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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外延性片研发企业的,因研发流程中采用砷化镓、酸洗铟等III-V族氧化物,废池中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,结构设计处置规模较1200吨/日。 废水处理工艺因素及原因 MOCVD机家电清洗化工废水 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等巧妙重金属氧化物 切割工作磨研废渣 :含奈米级复合粉末 化学镀焦化废水 :含铜、镍等重金属亚铁离子 治疗技艺标准流程 技术创新所采用"空气氧化破络+巨资属收集+膜分离处理"整合工艺设备: 预整理单位 :加药亚硫酸氢钠细化可挥发合金金属络合物 核心区整理单位 : 的使用DTCR天价属收集剂演变成不可溶性螯合物 反渗透膜平台(UF)截流大原子污染问题物 反渗(RO)脱盐率>98% 飞灰外理标段 :抽滤脱水现象后全权负责垃圾办理核心应对 终于结果 经第三点方查测: 总砷成分:0.05mg/L(国家标准下载0.5mg/L) 镉的含量:0.01mg/L(国家行业标准0.1mg/L) 水造纸废水处理率:75% 运动人工成本:3.8元/吨水

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